Корейци създадоха първия 3D NAND чип с 300 слоя

19-03-2023

Южнокорейският производител на памети SK Hynix обяви, че е създал първия в света 3D NAND чип с повече от 300 слоя. Това съобщиха представители на компанията по време на конференцията ISSCC 2023.

Разработката е дело на 35-ма инженери, което още веднъж подчертава сложността на технологичния процес за производство на многослойна флаш памет. Екипът не само е увеличил плътността на записа, но значително е повишил и пропускателната способност на чипа – от 164 MB/s до 194 MB/s.

Инженерите на SK Hynix са работили в две основни и най-важни области: увеличаване на плътността на запис (намаляване на разходите за съхраняване на всеки бит данни) и увеличаване на производителността.

Междувременно, през настоящата година ще се произвеждат 3D NAND чипове с над 230 слоя, технологията за които вече е усвоена в една или друга степен от всички основни играчи на пазара за NAND памети.