Intel се кани да увеличи 50 пъти плътността на транзисторите

04-07-2019

Гордън Мур, един от основателите на Intel, формулира още през 1968 г. основния принцип на полупроводниковата индустрия. Правилото гласи, че плътността на транзисторите на единица площ от полупроводниковия кристал се удвоява на всеки една и половина до две години.

Този принцип е известен като „Закон на Мур”. Но през последните години дори Intel признава, че все по-трудно следва закона – и макар че той не е престанал да действа, на практика се забавя.
Опасенията на специалисти и инвеститори за края на Закона на Мур бяха разсеяни наскоро от Джим Келър – известен специалист от Intel, който е съавтор на инструкциите x86-64 и в дългата си кариера е работил върху процесорите на Apple, AMD и Tesla.

Публикации в Twitter разкриват как Джим Келър отстоява действието на Закона на Мур – според него, той е все още жив и не може да се отрича. Келър вярва, че Intel е способна да увеличи плътността на транзисторите 50 пъти през следващите години и десетилетия.

Джим Келър говори за използване на нанопроводници в двуизмерно и триизмерно оформление. Известно е, че Samsung ще използва нещо подобно като част от своята  GAAFET технология за създаване на канали, заобиколени от всички страни от гейтове (затвори).

Най-малкото, до момента на разработването на 3- и 4-нм технологии за чипове, южнокорейският гигант възнамерява да използва точно такъв подход. Очевидно, лидерите на полупроводниковата индустрия ще прилагат подобни решения.

В допълнение, Джим Келър твърди, че не само кристалите на отделните процесори и чипове, но и цели силициеви пластини ще станат многослойни. Intel обръща специално внимание на 3D оформлението на полупроводникови продукти.

Компанията скоро ще пусне 10-нм мобилни процесори Lakefield, използвайки многопластово оформление Foveros с хетерогенни компоненти. Очевидно, процесорният гигант възнамерява да се придържа към тази посока на развитие и в бъдеще.